ＳＩＣＣＧＬＯＢＡＬ株式会社

SICC GLOBAL株式会社は､4Hの導電型(N-ﾀｲﾌﾟ)と半絶縁性(SEMIﾀｲﾌﾟ)SiC WAFERの開発･製造を専業とする企業である｡高い技術力と｢常に進化を求める｣という理念をもとに､中国の民間企業では出色の国内影響力を持つことを謳っている｡中国はじめﾜｰﾙﾄﾞﾜｲﾄﾞで第三世帯半導体材料及び先進ﾊﾟﾜｰ半導体産業の振興に貢献している｡

基本情報

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業績

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基本情報

住所	〒 541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号EDGE本町3F
設立年度	2020/6/8
創業年度	2020/6/8
資本金等	30,000,000円
代表者	-
URL	-
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